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力积电:正与美光合作开发 1P 制程 DRAM 内存,预计 2028H2 量产_蜘蛛资讯网

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sp;   4 月 22 日消息,中国台湾地区半导体企业力晶积成电子制造股份公司(力积电、PSMC)昨日举行 2026 年第 1 季度线上法人说明会。该企业会上表示已与美光启动 1P 制程 DRAM 内存的联合研发,预计 2027Q1 导入设备、2028H1 试产、2028H2 量产。了解到,1P 制程的单位晶圆产出是力积电现有工艺的 2.5 倍,可为力积电未来利基型 DRAM

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NAND 闪存晶圆代工的投片价格。其有望在年内完成 MLC NAND 工艺开发,2027H2 可供客户设计定案.广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,所有文章均包含本声明。

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发布时间:05:59:43


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